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关于eos失效分析,三分钟您就懂
点击次数:37 发布时间:2021-01-25
   关于eos失效分析,三分钟您就懂
  eos失效分析是一门新兴发展中的学科,近年开始从军工到普通企业普及。在提高产品质量,技术开发、改进,产品修复及仲裁失效事故等方面具有很强的实际意义,是根据失效模式和现象,通过分析和验证,模拟重现失效的现象,找出失效的原因,挖掘出失效的机理的活动。
  为了研究电过应力对功率MOSFET可靠性的影响,分别对含有焊料空洞、栅极开路和芯片裂纹缺陷的器件进行失效分析与可靠性研究.利用有限元分析、电路模拟及可靠性加速实验,确定了器件发生EOS失效的根本原因。并通过优化芯片焊接温度-时间曲线和利用开式感应负载测试方法,比较了工艺优化前、后器件抗EOS的能力,结果表明优化后器件的焊料空洞含量显着减少,抗EOS能力得到明显提高.。
  eos失效分析的相关内容扩展:
  1、引起EOS原因
  电源AC/DC干扰,电源杂讯,过电压
  测试程序切换(热切换)导致瞬变电流/峰值/低频干扰。其时间微秒级别或ns,与ESD损坏类似
  闪电雷击
  测试程序开关引起的瞬态脉冲毛刺等
  其他设备的脉冲干扰
  工作流程不合理
  接地点反跳:接地点不够导致电流快速转换引起高电压。
  2、失效描述
  Ms击穿失效,一般击穿点位于芯片中间位置
  Us击穿失效,击穿点随机
  雪崩击穿
  超过安全工作区域,开启时栅压不足,关断时VDS较大
  eos失效分析机制是导致零件、元器件和材料失效的物理或化学过程。此过程的诱发因素有内部的和外部的。在研究失效机制时,通常先从外部诱发因素和失效表现形式入手,进而再研究较隐蔽的内在因素。在研究批量性失效规律时,常用数理统计方法,构成表示失效机制、失效方式或失效部位与失效频度、失效百分比或失效经济损失之间关系的排列图或帕雷托图,以找出必须首先解决的主要失效机制、方位和部位。

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